A. 电脑简单编程代码
常见的电脑主板故障代码含义表，建议大家收藏起来备用。
1. 由一系列代码(不含“00”和“FF”)到“FF”或“00”，则主板自检已通过，OK。
2. 出“00”，且不变码，则为主板没有运行，查CPU坏否、CPU跳线、或CPU设置正确否、电源正常否、主板电池等处有否发霉?
3. 如果您在CMOS中设置为不提示错，则遇到非致命性故障时，诊断卡不会停下来而接着往后走一直到“00”，解决方法为更改CMOS设置为提示所有错误再开机，这时若有非致命故障则停住，再根据代码排错。
01
处理器测试1，处理器状态核实，如果测试失败，循环是无限的。试换CPU，查CPU跳线或CPU设置错否?
02
确定诊断的类型(正常或者制造)。如果键盘缓冲器含有数据就会失效。试查主板中与键盘相关电路及键盘本身。
03
清除8042键盘控制器，发出TEST-KBRD命令(AAH)。查键盘内部电路及软件。
04
使8042键盘控制器复位，核实TESTKBRD。查主板中键盘接口电路。
05
如果不断重复制造测试1至5，可获得8042控制状态。查主板中键盘控制电路。
06
使电路片作初始准备，停用视频、奇偶性、DMA电路片，以及清除DMA电路片，所有页面寄存器和CMOS寄存器的工作。查主板中与DMA相关的电路。
07
处理器测试2，核实CPU寄存器的工作。查CPU是否插好，或CPU坏，或CPU跳线等设置有错否。
08
使CMOS计时器作初始准备，正常地更新计时器的循环。查主板中CMOS电路及芯片。
09
EPROM检查总和且必须等于零才通过。查主板的BIOS电路及芯片。
0A
使视频接口作初始准备。查与显卡有关的电路。
0B
测试8254芯片的DMA通道0。查主板中键盘控制电路及键盘中的控制电路。
0C
测试8254通道1。查键盘中的控制电路。
0D
1、 检查CPU速度是否与系统时钟匹配。查CPU跳级及CMOS中关于CPU参数的设置。
2、 检查控制芯片已编程值是否符合初设置。
3、 视频通道测试，如果失败，则鸣喇叭。
0E
测试CMOS停机字节。查主板中CMOS芯片及电路。
0F
测试扩展的CMOS。
10
测试DMA通道0。查主板中DMA芯片及电路。
B. 芯片的源代码是什么意思
最底层的代码，当某时间发生了，他就会返回一个值，这个值需要传送给驱动程序，而驱动程序所表现出来的就是某个功能。
C. 电脑最基本代码有哪些
是诊断卡代码吧？主板检测卡常见代码检修</B>
一、主板检测卡各指示灯说明
BIOS灯:为BIOS运行灯、正常工作时应不停闪动
CLK灯：为时钟灯、正常为常亮
OSC灯：为基准时钟灯、正常为常亮
RESET灯：为复位灯、正常为开机瞬间闪一下，然后熄灭
RUN灯：为运行灯、工作时应不停闪动
+12V、-12V、+5V、+3.3V灯正常为常亮
二、常见代码检修
1、00、CO、CF、FF或D1
测BIOS芯片CS有无片选：
（1）、有片选：换BIOS、测BIOS的OE是否有效、测PCI的AD线、 测 CPU复位有无1.5V--0V跳变
（2）、无片选：测PCI的FRAME、测CPU的DBSY ADS#，如不正常 则北桥坏、若帧周期信号不正常则南桥坏
2、C0
CPU插槽脏、针脚坏、接触不好
换电源、换CPU、换转接卡有时可解决问题
刷BIOS、检查BIOS座
I/O坏、北桥虚焊、南弱桥坏
PCB断线、板上粘有导电物
3、C1、C3、C6、A7或E1
内存接触不良（用镊子划内存槽）
测内存工作电压SDRAM （3.3V），DDR（2.5和1.25V）
测时钟（CLK0~CLK3）
CPU旁排阻是否损坏
测CPU地址线和数据线
测DDR的负载排阻和数据排阻
北桥坏
4、C1~05循环跳变
测32.768MHZ是否正常
BIOS损坏
I/O或南桥损坏
5、C1、C3、C6
刷BIOS、检查BIOS座
换电源、换CPU，换转接卡有时可解决问题
PCB断线、板上粘有导电物
换内存条，PC100、PC133，或速度更快更稳定的内存
换内存插槽，有些主板的内存条插槽要先插最靠里面或最靠外面的槽才可工作
目测内存槽是否有短路等机械类损坏现象
没内存的CLK0、CLK1、CLK2、CLK3、CLK4，内存主供电
打阻值检查是否有断路现象
换I/O芯片、北桥虚焊或北桥坏
6、循环显示C1-C3或C1-C5
刷BIOS
换I/O有时可解决问题、检查I/O外围电路
PCB断线、板上粘有导电物
换电源、换CPU、换内存
南桥坏
7、其它代码
刷BIOS
换电源、CPU、内存
检查I/O外围电路、换I/O芯片
PCB断线、板上粘有导电物、南桥坏
8、bO代码
测内存的数据负载电压1.25V、2.5V（DDR）
清CMOS
测北桥供电或北桥坏
9、25代码
测AGP核心供电4X（1.5V）、8X（0.8V）、2X（3.3V）
北桥供电、北桥坏
10、走od后不亮
测PCI插槽之间电阻和排阻
外频、倍频跳线
11、若显示Ob显示器仍不亮
换显卡，有时主板与显卡不兼容
换电源、换CPU、换内存
换显卡插槽、PCB断线、板上粘有导电物
刷BIOS
换I/O
查北桥供电或南北桥坏
查PCI、AGP槽附近的排阻和电容
12、显2d代码
测AGP的AD线
初始化INTR信号
北桥供电不正常或北桥坏
13、显2d代码后不变
刷BIOS
时钟发生器不良
清除CMOS
北桥供电不正常或北桥坏
14、显示50代码
I/O供电或I/O芯片坏
南桥供电或南桥坏
BIOS坏、北桥坏
15、显示41
刷BIOS
A18跳线
PCB断线、板上粘有导电物
I/O坏、南桥坏
AWARD BIOS</B>“26”既为“OK”码，</B>26代表CPU和内存已经正常工作. 如果不亮就是显卡没有工作，走到26基本上主板都是好的了，就是看显卡有没有显示信号过来了。</B>
PHOENIX BIOS</B>内存、显卡</B>或电容有鼓起的现象。</B>
D. 电脑各硬件代码
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
00 已显示系统的配置；即将控制INT19引导装入。
01 处理器测试1，处理器状态核实，如果测试失败，循环是无限的。 处理器寄存器的测试即将开始，非屏蔽中断即将停用。 CPU寄存器测试正在进行或者失灵。
02 确定诊断的类型（正常或者制造）。如果键盘缓冲器含有数据就会失效。 停用非屏蔽中断；通过延迟开始。 CMOS写入/读出正在进行或者失灵。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
03 清除8042键盘控制器，发出TEST-KBRD命令（AAH）。 通电延迟已完成。 ROM BIOS检查部件正在进行或失灵。
04 使8042键盘控制器复位，核实TESKBRD。 键盘控制器较复位/通电测试。 可编程间隔计时器的测试正在进行或失灵。
05 如果不断重复制造测试1至5，可获得8042控制状态。 已确定软复位/通电；即将启动ROM。 DMA初始准备正在进行或者失灵。
06 使电路片作初始准备，停用视频，奇偶性，DMA电路片，以及清除DMA电路片，所有页面寄存器和CMOS停机字节。 已启动ROM计算ROM BIOS检查总和，以及检查键盘缓冲器是否清除。 DMA初始页面寄存器读/写测试正在进行或失灵。
07 处理器测试2，核实CPU寄存器的工作。 ROM BIOS检查总和正常，键盘缓冲器已清除，向键盘发出BAT（基本保证测试）命令。
08 使CMOS计时器作初始准备，正常地更新计时器的循环。 已向键盘发出BAT命令，即将写入BAT命令。 RAM更新检验正在进行或失灵。
09 EPROM检查总和且必须等于零才通过。 核实键盘的基本保证测试，接着核实键盘命令字节。 第一个64K RAM测试正在进行。
0A 使视频接口作初始准备。 发出键盘命令字节代码，即将写入命令字节数据。 第一个64K RAM芯片或数据线失灵，移位。
0B 测试8254芯片的DMA通道0。 写入键盘控制器命令字节，即将发出引脚23和24的封锁/解锁命令。 第一个64K RAM奇/偶逻辑失灵。
0C 测试8054通道1。 键盘控制器引脚23。24已屏蔽/解锁；已发出NOP命令。 第一个64KRAM的地址线故障。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
0D 1、检查CPU速度是否与系统时钟匹配。2、检查控制芯片已编程值是否符合初设置。3、视频通道测试，如果失败，则鸣喇叭。 已处理NOP命令；接着测试CMOS停开寄存器。 第一个64K RAM的奇偶性失灵。
0E 测试CMOS停机字节。 CMOS状态寄存器读/写测试；将计算CMOS检查总和。 初始化输入/输出端口地址。
0F 测试扩展的CMOS。 已计算CMOS检查总和写入诊断字节；CMOS开始初始准备。
10 测试DMA通道0。 CMOS已作初始准备，CMOS状态寄存器即将为日期和时间作初始准备。
第一个64K RAM第0位故障。
11 测试DMA通道1。 CMOS状态寄存器已作初始准备，即将停用DMA和中断控制器。 第一个64K RAM第1位故障。
12 测试DMA页面寄存器。 停用DMA控制器1以及中断控制器1和2；即将视频显示器并使端口B作初始准备。 第一个64K RAM第2位在故障。
13 测试8741键盘控制器接口。 视频显示器已停用，端口B已作初始准备；即将开始电路片初始化/存储器自动检测。 第一个64K RAM第3位故障。
14 测试存储器更新触发电路。 电路片初始化/存储器自动检测结束；8254计时器测试即将开始。 第一个64K RAM第4位故障。
15 测试开头64K的系统存储器。 第2通道计时器测试了一半；8254第2通道计时器即将完成测试。 第一个64K RAM第5位故障。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
16 建立8259所用的中断矢量表。 第2通道计时器测试结束；8254第1通道计时器即将完成测试。 第一个64K RAM第6位故障。
17 调准视频输入/输出工作，若装有视频BIOS则启用。 第1通道计时器测试结束；8254第0通道计时器即将完成测试。 第一个64K RAM第7位故障。
18 测试视频存储器，如果安装选用的视频BIOS通过本项测试，则可绕过。 第0通道计时器测试结束；即将开始更新存储器。 第一个64K RAM第8位故障。
19 测试第1通道的中断控制器（8259）屏蔽位。 已开始更新存储器。 第一个64K RAM第9位故障。
1A 测试第2通道的中断控制器（8259）屏蔽位。 正在触发存储器更新线路，即将检查15微秒通/断时间。 第一个64K RAM第10位故障。
1B 测试CMOS电池电平。 完成存储器更新时间30微秒测试：即将开始基本的64K存储器测试。 第一个64K RAM第11位故障。
1C 测试CMOS检查总和。 第一个64K RAM第12位故障。
1D 调定CMOS的配置。 第一个64 K RAM第13位故障。
1E 测定系统存储器的大小，并且把字和CMOS值比较。 第一个64K RAM第14位故障。
1F 测试64K存储器至最高640K。 第一个64K RAM第15位故障。
20 测量固定的8259中断位。 开始基本的64K存储器测试；即将测试地址线。 从属DMA寄存器测试正在进行或失灵。
21 维持不可屏蔽中断（NMI）位（奇偶性或输入/输出通道的检查）。 通过地址线测试；即将触发奇偶性。 主DMA寄存器测试正在进行或失灵。
22 测试8259的中断功能。 结束触发奇偶性；将开始串行数据读/写测试。 主中断屏蔽寄存器测试正在进行或失灵。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
23 测试保护方式：虚拟方式和页面方式。 基本的64K串行数据读/写测试正常；即将开始中断矢量初始化之前的任何调节。 从属中断屏蔽寄存器测试正在进行或失灵。
24 测定1Mb以上的扩展存储器。 矢量初始化之前的任何调节完成，即将开始中断矢量的初始准备。 设置ES段地址寄存器注册表或内存高端。
25 测试除头一个64K之后的所有存储器。 完成中断矢量初始准备；将为旋转式继续开始读出8042的输入/输出端口。 装入中断矢量正在进行或失灵。
26 测试保护方式的例外情况。 读写8042的输入/输出端口；即将为旋转式继续开始使全局数据作初始准备。 开启A20地址线使之参入寻址。
27 确定超高速缓冲存储器的控制或屏蔽RAM。 全1数据初始准备结束；接着将进行中断矢量之后的任何初始准备。 键盘控制器测试正在进行或失灵。
28 确定超高速缓冲存储器的控制或者特别的8042键盘控制器。 完成中断矢量之后的初始准备；即将调定单色方式。 CMOS电源故障/检查总和计算正在进行。
29 已调定单色方式，即将调定彩色方式。 CMOS配置有效性的检查正在进行。
2A 使键盘控制器作初始准备。 已调定彩色方式，即将进行ROM测试前的触发奇偶性。 置空64K基本内存。
2B 使磁盘驱动器和控制器作初始准备。 触发奇偶性结束；即将控制任选的视频ROM检查前所需的任何调节。 屏幕存储器测试正在进行或者失灵。
2C 检查串行端口，并使之作初始准备。 完成视频ROM控制之前的处理；即将查看任选的视频ROM并加以控制。 屏幕初始准备正在进行或者失灵。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
2D 检测并行端口，并使之作初始准备。 已完成任选的视频ROM控制，即将进行视频ROM回复控制之后任何其他处理品的控制。 屏幕回扫测试正在进行或失灵。
2E 使硬磁盘驱动器和控制器作初始准备。 从视频ROM控制之后的处理复原；如果没发现EGA/VGA就要进行显示器存储器读/写测试。 检查视频ROM正在进行。
2F 检测数学协处理器，并使之作初始准备。 没发现EGA/VGA；即将开始显示器存储器读/写测试。
30 建立基本内存和扩展内存。 通过显示器存储读/写测试；即将进行扫描检查。 认为屏幕是可以工作的。
31 检测从C800：0至EFFF：0的选用ROM，并使之作初始准备。 显示器存储器读/写测试或扫描失败，即将进行另一种显示器存储器读/写测试。 单色监视器是可以工作的。
32 对主板上COM/LTP/FDD/声音设备等I/O芯片编程使之适合设置值。 通过另一种显示器存储器读/写测试；即将进行另一种显示器扫描检查。 彩色监视器（40列）是可以工作的。
33 视频显示器检查结束；将开始利用调节开关和实际插卡检验显示器的类型。 彩色监视器（80列）是可以工作的。
34 已检验显示适配器；接着将调定显示方式。 计时器滴答声中断测试正在进行或失灵。
35 完成调定显示方式；即将检查BIOS ROM的数据区。 停机测试正在进行或失灵。
36 已检查BIOS ROM数据区；即将调定通电信息的游标。 门电路中A-20失灵。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
37 识别通电信息的游标调定已完成；即将显示通电信息。 保护方式中的意外中断。
38 完成显示通电信息；即将读出新的游标位置。 RAM测试正在进行或者地址故障>FFFFh
39 已读出保存游标位置，即将显示引用信息串。
3A 引用信息串显示结束；即将显示发现<ESC>信息。 间隔计时器通道2测试或失灵。
3B 用OPTI电路片（只是486）使辅助超高速缓冲存储器作初始准备。 已显示发现<ESC>信息；虚拟方式，存储器测试即将开始。 按日计算的日历时钟测试正在进行或失灵。
3C 建立允许进入CMOS设置的标志。 串行端口测试正在进行或失灵。
3D 初始化键盘/PS2鼠标/PNP设备及总内存节点。 并行端口测试正在进行或失灵。
3E 尝试打开L2高速缓存 数学处理器测试正进行或失灵。
40 已开始准备虚拟方式的测试；即将从视频存储器来检验。 调整CPU速度，使之与外围时钟精确匹配。
41 中断已打开，将初始化数据以便于0：0检测内存变换（中断控制器或内存不良）。 从视频存储器检验之后复原；即将准备描述符表。 系统插件板选择失灵。
42 显示窗口进入SETUP。 描述符表已准备好；即将进行虚拟方式作存储器测试。 扩展CMOS RAM故障。
43 若是即插即用BIOS，则串口，并口初始化。 进入虚拟方式；即将为诊断方式实现中断。
44 已实现中断（如已接通诊断开关；即将使数据作初始准备以检查存储器在0：0返转 BIOS中断进行初始化。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
45 初始化数学处理器。 数据已作初始准备；即将检查存储器在0：0返转以及找出系统存储器的规模。
46 测试存储器已返回；存储器大小计算完毕，即将写入页面来测试存储器。 检查只读存储器ROM版本。
47 即将在扩展的存储器试写页面；即将基本640K存储器写入页面。
48 已将基本存储器写入页面；即将确定1Mb以上的存储器。 视频检查，CMOS重新配置。
49 找出1Mb以下的存储器并检验；即将确定1Mb以上的存储器。
4A 找出1Mb以上的存储器并检验；即将检查BIOS ROM的数据区 进行视频的初始化。
4B BIOS ROM数据区的检验结束，即将检查<ESC>和为软复位清除1Mb以上的存储器
4C 清除1Mb以上的存储器（软复位）即将清除1Mb以上的存储器 屏蔽视频BIOS ROM。
4D 已清除1Mb以上的存储器（软复位）；将保存存储器的大小。
4E 若检测到有错误，在显示器上显示错误信息，并等待客户按<F1>键继续。 开始存储器的测试：（无软复位）；即将显示第一个64K存储器的测试。 显示版权信息。
4F 读写软、硬盘数据，进行DOS引导。 开始显示存储器的大小，正在测试存储器将使之更新；将进行串行和随机的存储器测试。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
50 将当前BIOS临时区内的CMOS值存到CMOS中。 完成1Mb以上的存储器测试；即将高速存储器的大小以便再定位和掩蔽。 将CPU类型和速度送到屏幕。
51 测试1Mb以上的存储器。
52 所有ISA只读存储器ROM进行初始化，最终给PCI分配IRQ号等初始化工作。已完成1Mb以上的存储器测试；即将准备回到实址方式。 进入键盘检测。
53 如果不是即插即用BIOS，则初始化串口、并口和设置时钟值。 保存CPU寄存器和存储器的大小，将进入实址方式。
54 成功地开启实址方式；即将复原准备停机时保存的寄存器。扫描“打击键”。
55 寄存器已复原，将停用门电路A-20的地址线。
56 成功地停用A-20的地址线；即将检查BIOS ROM数据区。键盘测试结束。
57 BIOS ROM的数据区检查了一半；继续进行。
58 BIOS ROM的数据区检查结束；将清除发现<ESC>信息。 非设置中断测试。
59 已清<ESC>信息；信息已显示；即将开始DMA和中断控制器的测试。
5A 显示按“F2”键进行设置。
5C 测试640K基本内存。
5B 测试基本内存地址线。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
60 设置硬盘引导扇区病毒保护功能。 通过DMA页面寄存器的测试；即将检验视频存储器。测试扩展内存。
61 显示系统配置表 ,视频存储器检验结束；即将进行DMA#1基本寄存器的测试。
62 开始用中断19H进行系统引导。 通过DMA#1基本寄存器的测试；即将进行DMA#2寄存器的测试。 测试扩展内存地址线。
63 通过DMA#2基本寄存器的测试；即将检查BIOS ROM数据区。
64 BIOS ROM数据区检查了一半，继续进行。
65 BIOS ROM数据区检查结束；将把DMA装置1和2编程。 Cache注册表进行优化配置。
66 DMA装置1和2编程结束；即将使用59号中断控制器作初始准备。
67 8259初始准备已结束；即将开始键盘测试。
68 使外部Cache和CPU内部Cache都工作。
6A 测试显示外部Cache值。
6C 显示被屏蔽内容。
6E 显示附属配置信息。
70 检测到的错误代码送到屏幕显示。
72 检测配置有否错误。
74 测试实时时钟。
76 扫查键盘错误。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
7A 锁键盘。
7C 设置硬件中断矢量。
7E 测试有否安装数学处理器。
80 键盘测试开始，正在清除和检查有没有键卡住，即将使键盘复原。 关闭可编程输入/输出设备。
81 找出键盘复原的错误卡住的键；即将发出键盘控制端口的测试命令。
82 键盘控制器接口测试结束，即将写入命令字节和使循环缓冲器作初始准备。 检测和安装固定RS232接口（串口）。
83 已写入命令字节，已完成全局数据的初始准备；即将检查有没有键锁住。
84 已检查是否有锁住的键，即将检查存储器是否与CMOS失配。 检测和安装固定并行口。
85 已检查存储器的大小；即将显示软错误和口令或旁通安排。
86 已检查口令；即将进行旁通安排前的编程。 重新打开可编程I/O设备和检测固定I/O是否有冲突。
87 完成安排前的编程，将进行CMOS安排的编程。
88 从CMOS安排程序复原清除屏幕，即将进行后面的编程。 初始化BIOS数据区。
89 完成安排后的编程；即将显示通电屏幕信息。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
8A 显示头一个屏幕信息。 进行扩展BIOS数据区初始化。
8B 显示了信息，即将屏蔽主要和视频BIOS。
8C 成功地屏蔽主要和视频BIOS，将开始CMOS后的安排任选项的编程。 进行软驱控制器初始化。
8D 已经安排任选项编程，接着检查鼠标和进行初始准备。
8E 检查了鼠标以及完成初始准备；即将把硬、软磁盘复位。
8F 软磁盘已检查，该原磁盘将作初始准备，随后配备软磁盘。
90 软磁盘配置结束，将测试硬磁盘的存在。 硬盘控制器进行初始化。
91 硬磁盘存在测试结束；随后配置硬磁盘。 局部总线硬盘控制器初始化。
92 硬磁盘配置完成；即将检查BIOS ROM的数据区。 跳转到用户路径2。
93 BIOS ROM的数据区已检查一半；继续进行。
94 BIOS ROM的数据区检查完毕，即调定基本和扩展存储器的大小。 关闭A20地址线。
95 因应鼠标和硬磁盘47型支持而调节好存储器的大小；即将检验显示存储器。
96 检验显示存储器后复原；即将进行C800：0任选ROM控制之前的初始准备。 “ES段”注册表清除。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
97 C800:0任选ROM控制之前的任何初始准备结束，接着进行任选ROM的检查及控制。
98 任选ROM的控制完成；即将进行任选ROM回复控制之后所需的任何处理。 查找ROM选择。
99 任选ROM测试之后所需的任何初始准备结束；即将建立计时器的数据区或打印机基本地址。
9A 调定计时器和打印基本地址后的返回操作；即将调定RS-232基本地址。 屏蔽ROM选择。
9B 在RS-232基本地址之后返回，即将进行协处理器测试之初始准备。
9C 协处理器测试之前所需初始准备结束；接着使协处理器作初始准备。 建立电源节能管理。
9D 协处理器作好初始准备，即将进行协处理器测试之后的任何初始准备。
9E 完成协处理器之后的初始准备，将检查扩展键盘，键盘识别符，以及数字锁定。 开放硬件中断。
9F 已检查扩展键盘，调定识别标志，数字锁接通或断开，将发出键盘识别命令。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
A0 发出键盘识别命令：即将使键盘识别标志复原。 设置时间和日期。
A1 键盘识别标志复原；接着进行高速缓冲存储器的测试。
A2 高速缓冲存储器测试结束；即将显示任何软错误。 检查键盘锁。
A3 软错误显示完毕；即将调定键盘打击的速率。
A4 调好键盘的打击速率，即将制订存储器的等待状态。 键盘重复输入速率的初始化。
A5 存储器等候状态制定完毕；接着将清除屏幕。
A6 屏幕已清除；即将启动奇偶性和不可屏蔽中断。
A7 已启用不可屏蔽中断和奇偶性；即将进行控制任选ROM在E000:0之所需的任何初始准备。
A8 控制ROM在E000:0之前的初始准备结束，接着将控制E000:0之所需的任何初始准备。
清除“F2”键提示。
A9 从控制E000:0ROM返回，将进行E000:0可选ROM控制前的初始化。
AA 在E000:0控制任选ROM之后的初始准备结束；即将显示系统的配置。 扫描“F2”键打击。
代码 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
AC 进入设置。
AE 清除通电自检标志。
BO 检查非关键性错误。
B2 通电自检完成准备进入操作系统引导。
B4 蜂鸣器响一声。
B6 检测密码设置（可选）。
B8 清除全部描述表。
BC 清除校验检查值。
BE 程序缺省值进入控制芯片，符合可调制二进制缺省值表。 清除屏幕（可选）。
BF 测试CMOS建立值。 检测病毒，提示做资料备份。
C0 初始化高速缓存。 用中断19试引导。
C1 内存自检。 查找引导扇区中的“55、AA”标记。
C3 第一个256K内存测试。
C5 从ROM内存复制BIOS进行快速自检。
C6 高速缓存自检。
CA 检测Micronies超高速缓冲存储器（如果存在），并使之作初始准备。
CC 关断不可屏蔽中断处理器。
EE 处理器意料不到的例外情况。
FF 给予INT19引导装入程序的控制，主板OK。
E. 怎样往芯片里写程序单片机是干什么的
给芯片写程序是根据芯片的烧写时序（学过数点就明白）来决定了的，至于烧录软件，网上也很多，常用的51单片机烧写软件是STC_ISP_V480,主要是针对STC系列的单片机，而且这些单片机比较常用，很便宜。还有，如果懂得自己编写软件（VB、VC都可以），了解烧写时序，可以自己制作烧写软件。
单片机就是单片微型计算机，它的用途很广，最通俗的说就家里的电磁炉有一个单片机来控制时间、火候等、平时马路的交通灯也由单片机来控制显示红绿灯、时间、还可以用来控制小型车（一些大学的电子设计竞赛）、还可以用来设计温度采集等等。
F. 电脑程序代码有多少
这个
我无能为力
只能告诉你
一个大的软件
或者
游戏
里面的代码
要3000人做10年
你觉得有多少
G. 怎么制作电脑芯片和程序
这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的芯片竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑细选，从中提取出最最纯净的硅原料才行。试想一下，如果用那最最廉价而又储量充足的原料做成芯片，那么成品的质量会怎样，你还能用上像现在这样高性能的处理器吗？ 除去硅之外，制造芯片还需要一种重要的材料就是金属。目前为止，铝已经成为制作处理器内部配件的主要金属材料，而铜则逐渐被淘汰，这是有一些原因的，在目前的芯片工作电压下，铝的电迁移特性要明显好于铜。所谓电迁移问题，就是指当大量电子流过一段导体时，导体物质原子受电子撞击而离开原有位置，留下空位，空位过多则会导致导体连线断开，而离开原位的原子停留在其它位置，会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能，进而导致芯片无法使用。这就是许多Northwood Pentium 4换上SNDS(北木暴毕综合症)的原因，当发烧友们第一次给Northwood Pentium 4超频就急于求成，大幅提高芯片电压时，严重的电迁移问题导致了芯片的瘫痪。这就是intel首次尝试铜互连技术的经历，它显然需要一些改进。不过另一方面讲，应用铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快。 除了这两样主要的材料之外，在芯片的设计过程中还需要一些种类的化学原料，它们起着不同的作用，这里不再赘述。芯片制造的准备阶段在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。而作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。而为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。 而后，将原料进行高温溶化。中学化学课上我们学到过，许多固体内部原子是晶体结构，硅也是如此。为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过现在intel和其它一些公司已经开始使用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。intel为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高，功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍芯片的制造过程。单晶硅锭在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接决定了成品芯片的质量。单晶硅锭新的切片中要掺入一些物质而使之成为真正的半导体材料，而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下，切片被掺入化学物质而形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，因为在制造过程的后期，需要将N型材料植入P型衬底当中，而这一过程会导致pMOS管的形成。在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。光刻蚀这是目前的芯片制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。掺杂在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体)，多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。重复这一过程 从这一步起，你将持续添加层级，加入一个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些步骤，然后就出现了一个多层立体架构，这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。今天的P4处理器采用了7层金属连接，而Athlon64使用了9层，所使用的层数取决于最初的版图设计，并不直接代表着最终产品的性能差异。接下来的几个星期就需要对晶圆进行一关接一关的测试，包括检测晶圆的电学特性，看是否有逻辑错误，如果有，是在哪一层出现的等等。而后，晶圆上每一个出现问题的芯片单元将被单独测试来确定该芯片有否特殊加工需要。 而后，整片的晶圆被切割成一个个独立的处理器芯片单元。在最初测试中，那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切割下来的芯片单元将被采用某种方式进行封装，这样它就可以顺利的插入某种接口规格的主板了。大多数intel和AMD的处理器都会被覆盖一个散热层。在处理器成品完成之后，还要进行全方位的芯片功能检测。这一部会产生不同等级的产品，一些芯片的运行频率相对较高，于是打上高频率产品的名称和编号，而那些运行频率相对较低的芯片则加以改造，打上其它的低频率型号。这就是不同市场定位的处理器。而还有一些处理器可能在芯片功能上有一些不足之处。比如它在缓存功能上有缺陷(这种缺陷足以导致绝大多数的芯片瘫痪)，那么它们就会被屏蔽掉一些缓存容量，降低了性能，当然也就降低了产品的售价，这就是Celeron和Sempron的由来。在芯片的包装过程完成之后，许多产品还要再进行一次测试来确保先前的制作过程无一疏漏，且产品完全遵照规格所述，没有偏差。晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。 当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。掺杂在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体)，多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。重复这一过程 从这一步起，你将持续添加层级，加入一个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些步骤，然后就出现了一个多层立体架构，这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。程序.可以用语言来写,有C语等等啊
H. 一台电脑，一个芯片，如何把程序写入到芯片里
您好！感谢您选择英特尔产品。
根据您的描述，建议您参考下列信息：
先把硬件电路弄通，然后用相应的软件把程序烧进去
以上回复希望对您有所帮助，感谢您对英特尔产品的支持与关注。英特尔因您而精彩！
I. 什么是电脑程序源代码
软件你知道吧 就是一种大型程序 程序能够完成某种功能是因为它用一段话和电脑对话 让电脑执行 这段话就是源代码 软件就是由很多段话组成的一个集合 纯手打 望采纳
J. 电脑上的 程序 代码 放在电脑的哪个位置，是烧结在 芯片里面吗
不清楚您问的代码是指什么。系统的话是放在C盘下的windows文件夹里的。
然后您自己下载的应用程序，则根据您装这个程序的目录存放。