A. 電腦簡單編程代碼
常見的電腦主板故障代碼含義表，建議大家收藏起來備用。
1. 由一系列代碼(不含「00」和「FF」)到「FF」或「00」，則主板自檢已通過，OK。
2. 出「00」，且不變碼，則為主板沒有運行，查CPU壞否、CPU跳線、或CPU設置正確否、電源正常否、主板電池等處有否發霉?
3. 如果您在CMOS中設置為不提示錯，則遇到非致命性故障時，診斷卡不會停下來而接著往後走一直到「00」，解決方法為更改CMOS設置為提示所有錯誤再開機，這時若有非致命故障則停住，再根據代碼排錯。
01
處理器測試1，處理器狀態核實，如果測試失敗，循環是無限的。試換CPU，查CPU跳線或CPU設置錯否?
02
確定診斷的類型(正常或者製造)。如果鍵盤緩沖器含有數據就會失效。試查主板中與鍵盤相關電路及鍵盤本身。
03
清除8042鍵盤控制器，發出TEST-KBRD命令(AAH)。查鍵盤內部電路及軟體。
04
使8042鍵盤控制器復位，核實TESTKBRD。查主板中鍵盤介面電路。
05
如果不斷重復製造測試1至5，可獲得8042控制狀態。查主板中鍵盤控制電路。
06
使電路片作初始准備，停用視頻、奇偶性、DMA電路片，以及清除DMA電路片，所有頁面寄存器和CMOS寄存器的工作。查主板中與DMA相關的電路。
07
處理器測試2，核實CPU寄存器的工作。查CPU是否插好，或CPU壞，或CPU跳線等設置有錯否。
08
使CMOS計時器作初始准備，正常地更新計時器的循環。查主板中CMOS電路及晶元。
09
EPROM檢查總和且必須等於零才通過。查主板的BIOS電路及晶元。
0A
使視頻介面作初始准備。查與顯卡有關的電路。
0B
測試8254晶元的DMA通道0。查主板中鍵盤控制電路及鍵盤中的控制電路。
0C
測試8254通道1。查鍵盤中的控制電路。
0D
1、 檢查CPU速度是否與系統時鍾匹配。查CPU跳級及CMOS中關於CPU參數的設置。
2、 檢查控制晶元已編程值是否符合初設置。
3、 視頻通道測試，如果失敗，則鳴喇叭。
0E
測試CMOS停機位元組。查主板中CMOS晶元及電路。
0F
測試擴展的CMOS。
10
測試DMA通道0。查主板中DMA晶元及電路。
B. 晶元的源代碼是什麼意思
最底層的代碼，當某時間發生了，他就會返回一個值，這個值需要傳送給驅動程序，而驅動程序所表現出來的就是某個功能。
C. 電腦最基本代碼有哪些
是診斷卡代碼吧？主板檢測卡常見代碼檢修</B>
一、主板檢測卡各指示燈說明
BIOS燈:為BIOS運行燈、正常工作時應不停閃動
CLK燈：為時鍾燈、正常為常亮
OSC燈：為基準時鍾燈、正常為常亮
RESET燈：為復位燈、正常為開機瞬間閃一下，然後熄滅
RUN燈：為運行燈、工作時應不停閃動
+12V、-12V、+5V、+3.3V燈正常為常亮
二、常見代碼檢修
1、00、CO、CF、FF或D1
測BIOS晶元CS有無片選：
（1）、有片選：換BIOS、測BIOS的OE是否有效、測PCI的AD線、 測 CPU復位有無1.5V--0V跳變
（2）、無片選：測PCI的FRAME、測CPU的DBSY ADS#，如不正常 則北橋壞、若幀周期信號不正常則南橋壞
2、C0
CPU插槽臟、針腳壞、接觸不好
換電源、換CPU、換轉接卡有時可解決問題
刷BIOS、檢查BIOS座
I/O壞、北橋虛焊、南弱橋壞
PCB斷線、板上粘有導電物
3、C1、C3、C6、A7或E1
內存接觸不良（用鑷子劃內存槽）
測內存工作電壓SDRAM （3.3V），DDR（2.5和1.25V）
測時鍾（CLK0~CLK3）
CPU旁排阻是否損壞
測CPU地址線和數據線
測DDR的負載排阻和數據排阻
北橋壞
4、C1~05循環跳變
測32.768MHZ是否正常
BIOS損壞
I/O或南橋損壞
5、C1、C3、C6
刷BIOS、檢查BIOS座
換電源、換CPU，換轉接卡有時可解決問題
PCB斷線、板上粘有導電物
換內存條，PC100、PC133，或速度更快更穩定的內存
換內存插槽，有些主板的內存條插槽要先插最靠裡面或最靠外面的槽才可工作
目測內存槽是否有短路等機械類損壞現象
沒內存的CLK0、CLK1、CLK2、CLK3、CLK4，內存主供電
打阻值檢查是否有斷路現象
換I/O晶元、北橋虛焊或北橋壞
6、循環顯示C1-C3或C1-C5
刷BIOS
換I/O有時可解決問題、檢查I/O外圍電路
PCB斷線、板上粘有導電物
換電源、換CPU、換內存
南橋壞
7、其它代碼
刷BIOS
換電源、CPU、內存
檢查I/O外圍電路、換I/O晶元
PCB斷線、板上粘有導電物、南橋壞
8、bO代碼
測內存的數據負載電壓1.25V、2.5V（DDR）
清CMOS
測北橋供電或北橋壞
9、25代碼
測AGP核心供電4X（1.5V）、8X（0.8V）、2X（3.3V）
北橋供電、北橋壞
10、走od後不亮
測PCI插槽之間電阻和排阻
外頻、倍頻跳線
11、若顯示Ob顯示器仍不亮
換顯卡，有時主板與顯卡不兼容
換電源、換CPU、換內存
換顯卡插槽、PCB斷線、板上粘有導電物
刷BIOS
換I/O
查北橋供電或南北橋壞
查PCI、AGP槽附近的排阻和電容
12、顯2d代碼
測AGP的AD線
初始化INTR信號
北橋供電不正常或北橋壞
13、顯2d代碼後不變
刷BIOS
時鍾發生器不良
清除CMOS
北橋供電不正常或北橋壞
14、顯示50代碼
I/O供電或I/O晶元壞
南橋供電或南橋壞
BIOS壞、北橋壞
15、顯示41
刷BIOS
A18跳線
PCB斷線、板上粘有導電物
I/O壞、南橋壞
AWARD BIOS</B>「26」既為「OK」碼，</B>26代表CPU和內存已經正常工作. 如果不亮就是顯卡沒有工作，走到26基本上主板都是好的了，就是看顯卡有沒有顯示信號過來了。</B>
PHOENIX BIOS</B>內存、顯卡</B>或電容有鼓起的現象。</B>
D. 電腦各硬體代碼
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
00 已顯示系統的配置；即將控制INT19引導裝入。
01 處理器測試1，處理器狀態核實，如果測試失敗，循環是無限的。 處理器寄存器的測試即將開始，非屏蔽中斷即將停用。 CPU寄存器測試正在進行或者失靈。
02 確定診斷的類型（正常或者製造）。如果鍵盤緩沖器含有數據就會失效。 停用非屏蔽中斷；通過延遲開始。 CMOS寫入/讀出正在進行或者失靈。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
03 清除8042鍵盤控制器，發出TEST-KBRD命令（AAH）。 通電延遲已完成。 ROM BIOS檢查部件正在進行或失靈。
04 使8042鍵盤控制器復位，核實TESKBRD。 鍵盤控制器較復位/通電測試。 可編程間隔計時器的測試正在進行或失靈。
05 如果不斷重復製造測試1至5，可獲得8042控制狀態。 已確定軟復位/通電；即將啟動ROM。 DMA初始准備正在進行或者失靈。
06 使電路片作初始准備，停用視頻，奇偶性，DMA電路片，以及清除DMA電路片，所有頁面寄存器和CMOS停機位元組。 已啟動ROM計算ROM BIOS檢查總和，以及檢查鍵盤緩沖器是否清除。 DMA初始頁面寄存器讀/寫測試正在進行或失靈。
07 處理器測試2，核實CPU寄存器的工作。 ROM BIOS檢查總和正常，鍵盤緩沖器已清除，向鍵盤發出BAT（基本保證測試）命令。
08 使CMOS計時器作初始准備，正常地更新計時器的循環。 已向鍵盤發出BAT命令，即將寫入BAT命令。 RAM更新檢驗正在進行或失靈。
09 EPROM檢查總和且必須等於零才通過。 核實鍵盤的基本保證測試，接著核實鍵盤命令位元組。 第一個64K RAM測試正在進行。
0A 使視頻介面作初始准備。 發出鍵盤命令位元組代碼，即將寫入命令位元組數據。 第一個64K RAM晶元或數據線失靈，移位。
0B 測試8254晶元的DMA通道0。 寫入鍵盤控制器命令位元組，即將發出引腳23和24的封鎖/解鎖命令。 第一個64K RAM奇/偶邏輯失靈。
0C 測試8054通道1。 鍵盤控制器引腳23。24已屏蔽/解鎖；已發出NOP命令。 第一個64KRAM的地址線故障。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
0D 1、檢查CPU速度是否與系統時鍾匹配。2、檢查控制晶元已編程值是否符合初設置。3、視頻通道測試，如果失敗，則鳴喇叭。 已處理NOP命令；接著測試CMOS停開寄存器。 第一個64K RAM的奇偶性失靈。
0E 測試CMOS停機位元組。 CMOS狀態寄存器讀/寫測試；將計算CMOS檢查總和。 初始化輸入/輸出埠地址。
0F 測試擴展的CMOS。 已計算CMOS檢查總和寫入診斷位元組；CMOS開始初始准備。
10 測試DMA通道0。 CMOS已作初始准備，CMOS狀態寄存器即將為日期和時間作初始准備。
第一個64K RAM第0位故障。
11 測試DMA通道1。 CMOS狀態寄存器已作初始准備，即將停用DMA和中斷控制器。 第一個64K RAM第1位故障。
12 測試DMA頁面寄存器。 停用DMA控制器1以及中斷控制器1和2；即將視頻顯示器並使埠B作初始准備。 第一個64K RAM第2位在故障。
13 測試8741鍵盤控制器介面。 視頻顯示器已停用，埠B已作初始准備；即將開始電路片初始化/存儲器自動檢測。 第一個64K RAM第3位故障。
14 測試存儲器更新觸發電路。 電路片初始化/存儲器自動檢測結束；8254計時器測試即將開始。 第一個64K RAM第4位故障。
15 測試開頭64K的系統存儲器。 第2通道計時器測試了一半；8254第2通道計時器即將完成測試。 第一個64K RAM第5位故障。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
16 建立8259所用的中斷矢量表。 第2通道計時器測試結束；8254第1通道計時器即將完成測試。 第一個64K RAM第6位故障。
17 調准視頻輸入/輸出工作，若裝有視頻BIOS則啟用。 第1通道計時器測試結束；8254第0通道計時器即將完成測試。 第一個64K RAM第7位故障。
18 測試視頻存儲器，如果安裝選用的視頻BIOS通過本項測試，則可繞過。 第0通道計時器測試結束；即將開始更新存儲器。 第一個64K RAM第8位故障。
19 測試第1通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。 已開始更新存儲器。 第一個64K RAM第9位故障。
1A 測試第2通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。 正在觸發存儲器更新線路，即將檢查15微秒通/斷時間。 第一個64K RAM第10位故障。
1B 測試CMOS電池電平。 完成存儲器更新時間30微秒測試：即將開始基本的64K存儲器測試。 第一個64K RAM第11位故障。
1C 測試CMOS檢查總和。 第一個64K RAM第12位故障。
1D 調定CMOS的配置。 第一個64 K RAM第13位故障。
1E 測定系統存儲器的大小，並且把字和CMOS值比較。 第一個64K RAM第14位故障。
1F 測試64K存儲器至最高640K。 第一個64K RAM第15位故障。
20 測量固定的8259中斷位。 開始基本的64K存儲器測試；即將測試地址線。 從屬DMA寄存器測試正在進行或失靈。
21 維持不可屏蔽中斷（NMI）位（奇偶性或輸入/輸出通道的檢查）。 通過地址線測試；即將觸發奇偶性。 主DMA寄存器測試正在進行或失靈。
22 測試8259的中斷功能。 結束觸發奇偶性；將開始串列數據讀/寫測試。 主中斷屏蔽寄存器測試正在進行或失靈。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
23 測試保護方式：虛擬方式和頁面方式。 基本的64K串列數據讀/寫測試正常；即將開始中斷矢量初始化之前的任何調節。 從屬中斷屏蔽寄存器測試正在進行或失靈。
24 測定1Mb以上的擴展存儲器。 矢量初始化之前的任何調節完成，即將開始中斷矢量的初始准備。 設置ES段地址寄存器注冊表或內存高端。
25 測試除頭一個64K之後的所有存儲器。 完成中斷矢量初始准備；將為旋轉式繼續開始讀出8042的輸入/輸出埠。 裝入中斷矢量正在進行或失靈。
26 測試保護方式的例外情況。 讀寫8042的輸入/輸出埠；即將為旋轉式繼續開始使全局數據作初始准備。 開啟A20地址線使之參入定址。
27 確定超高速緩沖存儲器的控制或屏蔽RAM。 全1數據初始准備結束；接著將進行中斷矢量之後的任何初始准備。 鍵盤控制器測試正在進行或失靈。
28 確定超高速緩沖存儲器的控制或者特別的8042鍵盤控制器。 完成中斷矢量之後的初始准備；即將調定單色方式。 CMOS電源故障/檢查總和計算正在進行。
29 已調定單色方式，即將調定彩色方式。 CMOS配置有效性的檢查正在進行。
2A 使鍵盤控制器作初始准備。 已調定彩色方式，即將進行ROM測試前的觸發奇偶性。 置空64K基本內存。
2B 使磁碟驅動器和控制器作初始准備。 觸發奇偶性結束；即將控制任選的視頻ROM檢查前所需的任何調節。 屏幕存儲器測試正在進行或者失靈。
2C 檢查串列埠，並使之作初始准備。 完成視頻ROM控制之前的處理；即將查看任選的視頻ROM並加以控制。 屏幕初始准備正在進行或者失靈。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
2D 檢測並行埠，並使之作初始准備。 已完成任選的視頻ROM控制，即將進行視頻ROM回復控制之後任何其他處理品的控制。 屏幕回掃測試正在進行或失靈。
2E 使硬磁碟驅動器和控制器作初始准備。 從視頻ROM控制之後的處理復原；如果沒發現EGA/VGA就要進行顯示器存儲器讀/寫測試。 檢查視頻ROM正在進行。
2F 檢測數學協處理器，並使之作初始准備。 沒發現EGA/VGA；即將開始顯示器存儲器讀/寫測試。
30 建立基本內存和擴展內存。 通過顯示器存儲讀/寫測試；即將進行掃描檢查。 認為屏幕是可以工作的。
31 檢測從C800：0至EFFF：0的選用ROM，並使之作初始准備。 顯示器存儲器讀/寫測試或掃描失敗，即將進行另一種顯示器存儲器讀/寫測試。 單色監視器是可以工作的。
32 對主板上COM/LTP/FDD/聲音設備等I/O晶元編程使之適合設置值。 通過另一種顯示器存儲器讀/寫測試；即將進行另一種顯示器掃描檢查。 彩色監視器（40列）是可以工作的。
33 視頻顯示器檢查結束；將開始利用調節開關和實際插卡檢驗顯示器的類型。 彩色監視器（80列）是可以工作的。
34 已檢驗顯示適配器；接著將調定顯示方式。 計時器滴答聲中斷測試正在進行或失靈。
35 完成調定顯示方式；即將檢查BIOS ROM的數據區。 停機測試正在進行或失靈。
36 已檢查BIOS ROM數據區；即將調定通電信息的游標。 門電路中A-20失靈。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
37 識別通電信息的游標調定已完成；即將顯示通電信息。 保護方式中的意外中斷。
38 完成顯示通電信息；即將讀出新的游標位置。 RAM測試正在進行或者地址故障>FFFFh
39 已讀出保存游標位置，即將顯示引用信息串。
3A 引用信息串顯示結束；即將顯示發現<ESC>信息。 間隔計時器通道2測試或失靈。
3B 用OPTI電路片（只是486）使輔助超高速緩沖存儲器作初始准備。 已顯示發現<ESC>信息；虛擬方式，存儲器測試即將開始。 按日計算的日歷時鍾測試正在進行或失靈。
3C 建立允許進入CMOS設置的標志。 串列埠測試正在進行或失靈。
3D 初始化鍵盤/PS2滑鼠/PNP設備及總內存節點。 並行埠測試正在進行或失靈。
3E 嘗試打開L2高速緩存 數學處理器測試正進行或失靈。
40 已開始准備虛擬方式的測試；即將從視頻存儲器來檢驗。 調整CPU速度，使之與外圍時鍾精確匹配。
41 中斷已打開，將初始化數據以便於0：0檢測內存變換（中斷控制器或內存不良）。 從視頻存儲器檢驗之後復原；即將准備描述符表。 系統插件板選擇失靈。
42 顯示窗口進入SETUP。 描述符表已准備好；即將進行虛擬方式作存儲器測試。 擴展CMOS RAM故障。
43 若是即插即用BIOS，則串口，並口初始化。 進入虛擬方式；即將為診斷方式實現中斷。
44 已實現中斷（如已接通診斷開關；即將使數據作初始准備以檢查存儲器在0：0返轉 BIOS中斷進行初始化。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
45 初始化數學處理器。 數據已作初始准備；即將檢查存儲器在0：0返轉以及找出系統存儲器的規模。
46 測試存儲器已返回；存儲器大小計算完畢，即將寫入頁面來測試存儲器。 檢查只讀存儲器ROM版本。
47 即將在擴展的存儲器試寫頁面；即將基本640K存儲器寫入頁面。
48 已將基本存儲器寫入頁面；即將確定1Mb以上的存儲器。 視頻檢查，CMOS重新配置。
49 找出1Mb以下的存儲器並檢驗；即將確定1Mb以上的存儲器。
4A 找出1Mb以上的存儲器並檢驗；即將檢查BIOS ROM的數據區 進行視頻的初始化。
4B BIOS ROM數據區的檢驗結束，即將檢查<ESC>和為軟復位清除1Mb以上的存儲器
4C 清除1Mb以上的存儲器（軟復位）即將清除1Mb以上的存儲器 屏蔽視頻BIOS ROM。
4D 已清除1Mb以上的存儲器（軟復位）；將保存存儲器的大小。
4E 若檢測到有錯誤，在顯示器上顯示錯誤信息，並等待客戶按<F1>鍵繼續。 開始存儲器的測試：（無軟復位）；即將顯示第一個64K存儲器的測試。 顯示版權信息。
4F 讀寫軟、硬碟數據，進行DOS引導。 開始顯示存儲器的大小，正在測試存儲器將使之更新；將進行串列和隨機的存儲器測試。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
50 將當前BIOS臨時區內的CMOS值存到CMOS中。 完成1Mb以上的存儲器測試；即將高速存儲器的大小以便再定位和掩蔽。 將CPU類型和速度送到屏幕。
51 測試1Mb以上的存儲器。
52 所有ISA只讀存儲器ROM進行初始化，最終給PCI分配IRQ號等初始化工作。已完成1Mb以上的存儲器測試；即將准備回到實址方式。 進入鍵盤檢測。
53 如果不是即插即用BIOS，則初始化串口、並口和設置時鍾值。 保存CPU寄存器和存儲器的大小，將進入實址方式。
54 成功地開啟實址方式；即將復原准備停機時保存的寄存器。掃描「打擊鍵」。
55 寄存器已復原，將停用門電路A-20的地址線。
56 成功地停用A-20的地址線；即將檢查BIOS ROM數據區。鍵盤測試結束。
57 BIOS ROM的數據區檢查了一半；繼續進行。
58 BIOS ROM的數據區檢查結束；將清除發現<ESC>信息。 非設置中斷測試。
59 已清<ESC>信息；信息已顯示；即將開始DMA和中斷控制器的測試。
5A 顯示按「F2」鍵進行設置。
5C 測試640K基本內存。
5B 測試基本內存地址線。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
60 設置硬碟引導扇區病毒保護功能。 通過DMA頁面寄存器的測試；即將檢驗視頻存儲器。測試擴展內存。
61 顯示系統配置表 ,視頻存儲器檢驗結束；即將進行DMA#1基本寄存器的測試。
62 開始用中斷19H進行系統引導。 通過DMA#1基本寄存器的測試；即將進行DMA#2寄存器的測試。 測試擴展內存地址線。
63 通過DMA#2基本寄存器的測試；即將檢查BIOS ROM數據區。
64 BIOS ROM數據區檢查了一半，繼續進行。
65 BIOS ROM數據區檢查結束；將把DMA裝置1和2編程。 Cache注冊表進行優化配置。
66 DMA裝置1和2編程結束；即將使用59號中斷控制器作初始准備。
67 8259初始准備已結束；即將開始鍵盤測試。
68 使外部Cache和CPU內部Cache都工作。
6A 測試顯示外部Cache值。
6C 顯示被屏蔽內容。
6E 顯示附屬配置信息。
70 檢測到的錯誤代碼送到屏幕顯示。
72 檢測配置有否錯誤。
74 測試實時時鍾。
76 掃查鍵盤錯誤。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
7A 鎖鍵盤。
7C 設置硬體中斷矢量。
7E 測試有否安裝數學處理器。
80 鍵盤測試開始，正在清除和檢查有沒有鍵卡住，即將使鍵盤復原。 關閉可編程輸入/輸出設備。
81 找出鍵盤復原的錯誤卡住的鍵；即將發出鍵盤控制埠的測試命令。
82 鍵盤控制器介面測試結束，即將寫入命令位元組和使循環緩沖器作初始准備。 檢測和安裝固定RS232介面（串口）。
83 已寫入命令位元組，已完成全局數據的初始准備；即將檢查有沒有鍵鎖住。
84 已檢查是否有鎖住的鍵，即將檢查存儲器是否與CMOS失配。 檢測和安裝固定並行口。
85 已檢查存儲器的大小；即將顯示軟錯誤和口令或旁通安排。
86 已檢查口令；即將進行旁通安排前的編程。 重新打開可編程I/O設備和檢測固定I/O是否有沖突。
87 完成安排前的編程，將進行CMOS安排的編程。
88 從CMOS安排程序復原清除屏幕，即將進行後面的編程。 初始化BIOS數據區。
89 完成安排後的編程；即將顯示通電屏幕信息。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
8A 顯示頭一個屏幕信息。 進行擴展BIOS數據區初始化。
8B 顯示了信息，即將屏蔽主要和視頻BIOS。
8C 成功地屏蔽主要和視頻BIOS，將開始CMOS後的安排任選項的編程。 進行軟碟機控制器初始化。
8D 已經安排任選項編程，接著檢查滑鼠和進行初始准備。
8E 檢查了滑鼠以及完成初始准備；即將把硬、軟磁碟復位。
8F 軟磁碟已檢查，該原磁碟將作初始准備，隨後配備軟磁碟。
90 軟磁碟配置結束，將測試硬磁碟的存在。 硬碟控制器進行初始化。
91 硬磁碟存在測試結束；隨後配置硬磁碟。 局部匯流排硬碟控制器初始化。
92 硬磁碟配置完成；即將檢查BIOS ROM的數據區。 跳轉到用戶路徑2。
93 BIOS ROM的數據區已檢查一半；繼續進行。
94 BIOS ROM的數據區檢查完畢，即調定基本和擴展存儲器的大小。 關閉A20地址線。
95 因應滑鼠和硬磁碟47型支持而調節好存儲器的大小；即將檢驗顯示存儲器。
96 檢驗顯示存儲器後復原；即將進行C800：0任選ROM控制之前的初始准備。 「ES段」注冊表清除。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
97 C800:0任選ROM控制之前的任何初始准備結束，接著進行任選ROM的檢查及控制。
98 任選ROM的控制完成；即將進行任選ROM回復控制之後所需的任何處理。 查找ROM選擇。
99 任選ROM測試之後所需的任何初始准備結束；即將建立計時器的數據區或列印機基本地址。
9A 調定計時器和列印基本地址後的返回操作；即將調定RS-232基本地址。 屏蔽ROM選擇。
9B 在RS-232基本地址之後返回，即將進行協處理器測試之初始准備。
9C 協處理器測試之前所需初始准備結束；接著使協處理器作初始准備。 建立電源節能管理。
9D 協處理器作好初始准備，即將進行協處理器測試之後的任何初始准備。
9E 完成協處理器之後的初始准備，將檢查擴展鍵盤，鍵盤識別符，以及數字鎖定。 開放硬體中斷。
9F 已檢查擴展鍵盤，調定識別標志，數字鎖接通或斷開，將發出鍵盤識別命令。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
A0 發出鍵盤識別命令：即將使鍵盤識別標志復原。 設置時間和日期。
A1 鍵盤識別標志復原；接著進行高速緩沖存儲器的測試。
A2 高速緩沖存儲器測試結束；即將顯示任何軟錯誤。 檢查鍵盤鎖。
A3 軟錯誤顯示完畢；即將調定鍵盤打擊的速率。
A4 調好鍵盤的打擊速率，即將制訂存儲器的等待狀態。 鍵盤重復輸入速率的初始化。
A5 存儲器等候狀態制定完畢；接著將清除屏幕。
A6 屏幕已清除；即將啟動奇偶性和不可屏蔽中斷。
A7 已啟用不可屏蔽中斷和奇偶性；即將進行控制任選ROM在E000:0之所需的任何初始准備。
A8 控制ROM在E000:0之前的初始准備結束，接著將控制E000:0之所需的任何初始准備。
清除「F2」鍵提示。
A9 從控制E000:0ROM返回，將進行E000:0可選ROM控制前的初始化。
AA 在E000:0控制任選ROM之後的初始准備結束；即將顯示系統的配置。 掃描「F2」鍵打擊。
代碼 Award BIOS AMI BIOS Phoenix BIOS和Tandy 3000 BIOS
AC 進入設置。
AE 清除通電自檢標志。
BO 檢查非關鍵性錯誤。
B2 通電自檢完成准備進入操作系統引導。
B4 蜂鳴器響一聲。
B6 檢測密碼設置（可選）。
B8 清除全部描述表。
BC 清除校驗檢查值。
BE 程序預設值進入控制晶元，符合可調制二進制預設值表。 清除屏幕（可選）。
BF 測試CMOS建立值。 檢測病毒，提示做資料備份。
C0 初始化高速緩存。 用中斷19試引導。
C1 內存自檢。 查找引導扇區中的「55、AA」標記。
C3 第一個256K內存測試。
C5 從ROM內存復制BIOS進行快速自檢。
C6 高速緩存自檢。
CA 檢測Micronies超高速緩沖存儲器（如果存在），並使之作初始准備。
CC 關斷不可屏蔽中斷處理器。
EE 處理器意料不到的例外情況。
FF 給予INT19引導裝入程序的控制，主板OK。
E. 怎樣往晶元里寫程序單片機是干什麼的
給晶元寫程序是根據晶元的燒寫時序（學過數點就明白）來決定了的，至於燒錄軟體，網上也很多，常用的51單片機燒寫軟體是STC_ISP_V480,主要是針對STC系列的單片機，而且這些單片機比較常用，很便宜。還有，如果懂得自己編寫軟體（VB、VC都可以），了解燒寫時序，可以自己製作燒寫軟體。
單片機就是單片微型計算機，它的用途很廣，最通俗的說就家裡的電磁爐有一個單片機來控制時間、火候等、平時馬路的交通燈也由單片機來控制顯示紅綠燈、時間、還可以用來控制小型車（一些大學的電子設計競賽）、還可以用來設計溫度採集等等。
F. 電腦程序代碼有多少
這個
我無能為力
只能告訴你
一個大的軟體
或者
游戲
裡面的代碼
要3000人做10年
你覺得有多少
G. 怎麼製作電腦晶元和程序
這是不假，但硅又來自哪裡呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想像吧，價格昂貴，結構復雜，功能強大，充滿著神秘感的晶元竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個復雜的製造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成晶元，那麼成品的質量會怎樣，你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎？ 除去硅之外，製造晶元還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的晶元工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響晶元的邏輯功能，進而導致晶元無法使用。這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS(北木暴畢綜合症)的原因，當發燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急於求成，大幅提高晶元電壓時，嚴重的電遷移問題導致了晶元的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷，它顯然需要一些改進。不過另一方面講，應用銅互連技術可以減小晶元面積，同時由於銅導體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。 除了這兩樣主要的材料之外，在晶元的設計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。晶元製造的准備階段在必備原材料的採集工作完畢之後，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路製造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然後將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。 而後，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內部原子是晶體結構，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以製造復雜程度更高，功能更強大的集成電路晶元。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹晶元的製造過程。單晶硅錠在製成硅錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產的處理器晶元就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要，它直接決定了成品晶元的質量。單晶硅錠新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料，而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體製造多選擇CMOS工藝(互補型金屬氧化物半導體)。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現，因為在製造過程的後期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。在摻入化學物質的工作完成之後，標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米製造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出埠電壓的大小。准備工作的最後一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結束之後，能夠通過化學方法將其溶解並除去。光刻蝕這是目前的晶元製造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什麼這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步(每一步進行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上，那麼這個晶元的結構有多麼復雜，可想而知了吧。當這些刻蝕工作全部完成之後，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。摻雜在殘留的感光層物質被去除之後，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後，另一個二氧化硅層製作完成。然後，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料(因此稱作金屬氧化物半導體)，多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然後，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作埠。重復這一過程 從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然後光刻一次。重復這些步驟，然後就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。今天的P4處理器採用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數取決於最初的版圖設計，並不直接代表著最終產品的性能差異。接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試，包括檢測晶圓的電學特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現的等等。而後，晶圓上每一個出現問題的晶元單元將被單獨測試來確定該晶元有否特殊加工需要。 而後，整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器晶元單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的晶元單元將被採用某種方式進行封裝，這樣它就可以順利的插入某種介面規格的主板了。大多數intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。在處理器成品完成之後，還要進行全方位的晶元功能檢測。這一部會產生不同等級的產品，一些晶元的運行頻率相對較高，於是打上高頻率產品的名稱和編號，而那些運行頻率相對較低的晶元則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在晶元功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷(這種缺陷足以導致絕大多數的晶元癱瘓)，那麼它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當然也就降低了產品的售價，這就是Celeron和Sempron的由來。在晶元的包裝過程完成之後，許多產品還要再進行一次測試來確保先前的製作過程無一疏漏，且產品完全遵照規格所述，沒有偏差。晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步(每一步進行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上，那麼這個晶元的結構有多麼復雜，可想而知了吧。 當這些刻蝕工作全部完成之後，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。摻雜在殘留的感光層物質被去除之後，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後，另一個二氧化硅層製作完成。然後，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料(因此稱作金屬氧化物半導體)，多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然後，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作埠。重復這一過程 從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然後光刻一次。重復這些步驟，然後就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。程序.可以用語言來寫,有C語等等啊
H. 一台電腦，一個晶元，如何把程序寫入到晶元里
您好！感謝您選擇英特爾產品。
根據您的描述，建議您參考下列信息：
先把硬體電路弄通，然後用相應的軟體把程序燒進去
以上回復希望對您有所幫助，感謝您對英特爾產品的支持與關注。英特爾因您而精彩！
I. 什麼是電腦程序源代碼
軟體你知道吧 就是一種大型程序 程序能夠完成某種功能是因為它用一段話和電腦對話 讓電腦執行 這段話就是源代碼 軟體就是由很多段話組成的一個集合 純手打 望採納
J. 電腦上的 程序 代碼 放在電腦的哪個位置，是燒結在 晶元裡面嗎
不清楚您問的代碼是指什麼。系統的話是放在C盤下的windows文件夾里的。
然後您自己下載的應用程序，則根據您裝這個程序的目錄存放。