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電腦快閃記憶體用的什麼

發布時間:2022-01-23 09:20:16

A. 電腦的CPU的作用,快閃記憶體的作用,

簡單說內存(這里指內存條的容量)是用來裝正在處理的文件或程序,CPU指處理問題的中心相當於大腦

B. 什麼是快閃記憶體干什麼用的

快閃記憶體檔是一種移動存儲產品,可用於存儲任何格式數據文件和在電腦間方便地交換數據。快閃記憶體檔採用快閃記憶體存儲介質(Flash Memory)和通用串列匯流排(USB)介面,具有輕巧精緻、使用方便、便於攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特徵。
快閃記憶體檔可用來在電腦之間交換數據。從容量上講,快閃記憶體檔的容量從16MB到2GB可選,突破了軟碟機1.44MB的局限性。從讀寫速度上講,快閃記憶體檔採用USB介面,讀寫速度比軟盤高許多。從穩定性上講,快閃記憶體檔沒有機械讀寫裝置,避免了移動硬碟容易碰傷、跌落等原因造成的損壞。部分款式快閃記憶體檔具有加密等功能,令用戶使用更具個性化。快閃記憶體檔外形小巧,更易於攜帶。

C. 快閃記憶體"是什麼 用在哪裡怎麼用啊

快閃記憶體,也叫做flash 存儲器。其存儲介質是半導體晶元,硬碟或者軟盤是磁存儲設備,光碟是光電存儲。

快閃記憶體的好處是體積小,沒有機械結構,一般可重復擦寫幾百萬次,數據保存10年以上。

快閃記憶體可以用USB介面與電腦連接,也就是U盤。也可以是其他形式的介面,比如SD卡,MMC卡等等,

快閃記憶體也可以內置在電腦設備中,比如在路由器中作為存儲設備,應用很廣的。我們最常見的就是U盤可存儲卡了。

只要有合適的介面,把存儲設備插入電腦就可以用了,電腦識別為移動存儲器。

D. 電腦快閃記憶體是什麼

快閃記憶體(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位。快閃記憶體不像RAM(隨機存取存儲器)一樣以位元組為單位改寫數據,因此不能取代RAM。手機內存卡,U盤,SM卡 記憶棒,都是快閃記憶體

E. 電腦的快閃記憶體檔和硬碟有什麼區別呢

快閃記憶體檔容量相對於硬碟小,一般只有2G、4G、8G等 。體積也小,便於攜帶。存取速度是usb2.0 400~500M/s傳輸 硬碟是電腦本身自帶的,體積要大些,容量相對也要大,現在普遍是500G,1TB的容量。高速硬碟一般都在7200轉/s 一般硬碟需要數據線連接,快閃記憶體檔只要電腦有usb介面就能插,快閃記憶體檔是外置的

F. 快閃記憶體是什麼

快閃記憶體
「優盤」是這個產品最早的一個名稱,現在它的名稱早已是遍地開花,多不勝數了,什麼「閃盤」、「隨身Q」之類的。最初優盤是由朗科公司發明的一種新型存儲設備,因為它不需要額外的物理驅動器,並且容量很大,從16M到2GB可選,突破了軟盤1.44M的局限性。從讀寫速度上講,優盤採用USB1.1或2.0介面標准,讀寫速度較軟盤大大提高。從穩定性上講,優盤沒有機械讀寫裝置,避免了移動硬碟容易碰傷、跌落等原因造成的損壞(相信你也一定有重要的文件被那可惡軟盤毀掉的慘痛經歷)。由於使用了USB介面,因此可以進行熱插拔、無外接電源、僅拇指般大小、重量約20克,攜帶使用非常方便,任何帶有USB介面的電腦都可以使用優盤。後來,優盤這個儲存用的東西被眾多公司看好,一個新名詞--快閃記憶體誕生了。
快閃記憶體檔可用來在電腦之間交換數據。從容量上講,快閃記憶體檔的容量從16MB到2GB可選,突破了軟碟機1.44MB的局限性。從讀寫速度上講,快閃記憶體檔採用USB介面,讀寫速度比軟盤高許多。從穩定性上講,快閃記憶體檔沒有機械讀寫裝置,避免了移動硬碟容易碰傷、跌落等原因造成的損壞。部分款式快閃記憶體檔具有加密等功能,令用戶使用更具個性化。快閃記憶體檔外形小巧,更易於攜帶。

快閃記憶體是一種長期動力的非易失性的存儲器,它能在被稱為block的存儲單位中進行刪除和改編。快閃記憶體是電可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與快閃記憶體不同的是,它能在位元組水平上進行刪除和重寫,這樣EEPROM就比快閃記憶體的更新速度慢。快閃記憶體通常被用來保存控制代碼,比如在個人電腦中的基本輸入輸出系統(BISO)。當BIOS需要被改變(重寫)時,快閃記憶體可以寫到block(而不是位元組)大小,使它更容易被更新。另一方面,快閃記憶體不像任意存取存儲器(RAM)一樣有用,因為任意存取存儲器必須是在位元組(而不是block)水平可設定地址的。
快閃記憶體卡
快閃記憶體卡(Flash Card)是利用快閃記憶體(Flash Memory)技術達到存儲電子信息的存儲器,一般應用在數碼相機,掌上電腦,MP3等小型數碼產品中作為存儲介質,所以樣子小巧,有如一張卡片,所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用,快閃記憶體卡大概有SmartMedia(SM卡)、Compact Flash(CF卡)、MultiMediaCard(MMC卡)、Secure Digital(SD卡)、Memory Stick(記憶棒)、xD-Picture Card(XD卡)這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同,但是技術原理都是相同的。

G. 電腦中的快閃記憶體是作什麼用的,和內存有什麼不同

貌似電腦裡面只有內存和硬碟,快閃記憶體是手機裡面的存儲卡,相當於硬碟了,內存就是內存條,提供電腦緩存用的

H. 電腦內的快閃記憶體是什麼 是神馬意思、

簡單點說吧,就是一種儲存器,和硬碟一樣,只是類型不同,我們常用的優盤,MP3等等小容量的數碼產品都是快閃記憶體

I. 電腦的快閃記憶體有什麼用

快閃記憶體就是移動硬碟,就是常說的U盤等,可以存放資料東西,到別的電腦上可以復制,存放就可以。
至於有什麼用就看個人需要了!!明白了嗎?

J. 電腦里的「快閃記憶體」一詞是什麼意思有什麼用途謝謝

快閃記憶體 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory製造,翻譯成中文就是"閃動的存儲器",通常把它稱作"快閃記憶體",簡稱"快閃記憶體"。快閃記憶體檔是一種移動存儲產品,可用於存儲任何格式數據文件便於隨身攜帶,是個人的「數據移動中心」。快閃記憶體檔採用快閃記憶體存儲介質(Flash Memory)和通用串列匯流排(USB)介面,具有輕巧精緻、使用方便、便於攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特徵,是大家理想的便攜存儲工具.

我們常說的快閃記憶體其實只是一個籠統的稱呼,准確地說它是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM)的俗稱,特點是斷電後數據不消失,因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發性存儲器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說的內存主要指DRAM,也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。快閃記憶體也有不同類型,其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。

快閃記憶體的分類

NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大,打個比方說,NOR型快閃記憶體更像內存,有獨立的地址線和數據線,但價格比較貴,容量比較小;而NAND型更像硬碟,地址線和數據線是共用的I/O線,類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般,而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合,通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行,手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶,所以手機的「內存」容量通常不大;NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料,我們常用的快閃記憶體產品,如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。

這里我們還需要端正一個概念,那就是快閃記憶體的速度其實很有限,它本身操作速度、頻率就比內存低得多,而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此,不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面,甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。

前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低,這和它的架構設計和介面設計有關,它操作起來確實挺像硬碟(其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性),它的性能特點也很像硬碟:小數據塊操作速度很慢,而大數據塊速度就很快,這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。

NAND型快閃記憶體的技術特點

內存和NOR型快閃記憶體的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型快閃記憶體的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區,硬碟的一個扇區也為512位元組)。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於數據存儲的部分,實際上還要加上16位元組的校驗信息,因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資料當中看到「(512+16)Byte」的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型快閃記憶體絕大多數是(512+16)位元組的頁面容量,2Gb以上容量的NAND型快閃記憶體則將頁容量擴大到(2048+64)位元組。

NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數據,必須先擦除後寫入,因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁,容量16KB;而大容量快閃記憶體採用2KB頁時,則每個塊包含64個頁,容量128KB。

每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條,每條數據線每次傳輸(512+16)bit信息,8條就是(512+16)×8bit,也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計,如三星編號K9K1G16U0A的晶元就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體,容量1Gb,基本數據單位是(256+8)×16bit,還是512位元組。

定址時,NAND型快閃記憶體通過8條I/O介面數據線傳輸地址信息包,每包傳送8位地址信息。由於快閃記憶體晶元容量比較大,一組8位地址只夠定址256個頁,顯然是不夠的,因此通常一次地址傳送需要分若干組,佔用若干個時鍾周期。NAND的地址信息包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的頁面地址,傳送時分別分組,至少需要三次,佔用三個周期。隨著容量的增大,地址信息會更多,需要佔用更多的時鍾周期傳輸,因此NAND型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大,定址時間越長。而且,由於傳送地址周期比其他存儲介質長,因此NAND型快閃記憶體比其他存儲介質更不適合大量的小容量讀寫請求。

決定NAND型快閃記憶體的因素有哪些

1.頁數量

前面已經提到,越大容量快閃記憶體的頁越多、頁越大,定址時間越長。但這個時間的延長不是線性關系,而是一個一個的台階變化的。譬如128、256Mb的晶元需要3個周期傳送地址信號,512Mb、1Gb的需要4個周期,而2、4Gb的需要5個周期。

2.頁容量

每一頁的容量決定了一次可以傳輸的數據量,因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量快閃記憶體(4Gb)提高了頁的容量,從512位元組提高到2KB。頁容量的提高不但易於提高容量,更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例,前者為1Gb,512位元組頁容量,隨機讀(穩定)時間12μs,寫時間為200μs;後者為4Gb,2KB頁容量,隨機讀(穩定)時間25μs,寫時間為300μs。假設它們工作在20MHz。

讀取性能:NAND型快閃記憶體的讀取步驟分為:發送命令和定址信息→將數據傳向頁面寄存器(隨機讀穩定時間)→數據傳出(每周期8bit,需要傳送512+16或2K+64次)。

K9K1G08U0M讀一個頁需要:5個命令、定址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs;K9K1G08U0M實際讀傳輸率:512位元組÷38.7μs=13.2MB/s;K9K4G08U0M讀一個頁需要:6個命令、定址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs;K9K4G08U0M實際讀傳輸率:2KB位元組÷131.1μs=15.6MB/s。因此,採用2KB頁容量比512位元組也容量約提高讀性能20%。

寫入性能:NAND型快閃記憶體的寫步驟分為:發送定址信息→將數據傳向頁面寄存器→發送命令信息→數據從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個,我們下面將其和定址周期合並,但這兩個部分並非連續的。

K9K1G08U0M寫一個頁需要:5個命令、定址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率:512位元組÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要:6個命令、定址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率:2112位元組/405.9μs=5MB/s。因此,採用2KB頁容量比512位元組頁容量提高寫性能兩倍以上。

3.塊容量

塊是擦除操作的基本單位,由於每個塊的擦除時間幾乎相同(擦除操作一般需要2ms,而之前若干周期的命令和地址信息佔用的時間可以忽略不計),塊的容量將直接決定擦除性能。大容量NAND型快閃記憶體的頁容量提高,而每個塊的頁數量也有所提高,一般4Gb晶元的塊容量為2KB×64個頁=128KB,1Gb晶元的為512位元組×32個頁=16KB。可以看出,在相同時間之內,前者的擦速度為後者8倍!

4.I/O位寬

以往NAND型快閃記憶體的數據線一般為8條,不過從256Mb產品開始,就有16條數據線的產品出現了。但由於控制器等方面的原因,x16晶元實際應用的相對比較少,但將來數量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的晶元在傳送數據和地址信息時仍採用8位一組,佔用的周期也不變,但傳送數據時就以16位為一組,帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16晶元,它每頁仍為2KB,但結構為(1K+32)×16bit。

模仿上面的計算,我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要:6個命令、定址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率:2KB位元組÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要:6個命令、定址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率:2KB位元組÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到,相同容量的晶元,將數據線增加到16條後,讀性能提高近70%,寫性能也提高16%。

5.頻率

工作頻率的影響很容易理解。NAND型快閃記憶體的工作頻率在20~33MHz,頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時,我們假設頻率為20MHz,如果我們將頻率提高一倍,達到40MHz,則

K9K4G08U0M讀一個頁需要:6個命令、定址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率:2KB位元組÷78μs=26.3MB/s。可以看到,如果K9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz,讀性能可以提高近70%!當然,上面的例子只是為了方便計算而已。在三星實際的產品線中,可工作在較高頻率下的應是K9XXG08UXM,而不是K9XXG08U0M,前者的頻率目前可達33MHz。

6.製造工藝

製造工藝可以影響晶體管的密度,也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩定和讀穩定時間,它們在我們的計算當中佔去了時間的重要部分,尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間,就可以進一步提高性能。90nm的製造工藝能夠改進性能嗎?答案恐怕是否!目前的實際情況是,隨著存儲密度的提高,需要的讀、寫穩定時間是呈現上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現了這種趨勢,否則4Gb晶元的性能提升更加明顯。

綜合來看,大容量的NAND型快閃記憶體晶元雖然定址、操作時間會略長,但隨著頁容量的提高,有效傳輸率還是會大一些,大容量的晶元符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數據線和提高頻率,則是提高性能的最有效途徑,但由於命令、地址信息佔用操作周期,以及一些固定操作時間(如信號穩定時間等)等工藝、物理因素的影響,它們不會帶來同比的性能提升。

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其中:A0~11對頁內進行定址,可以被理解為「列地址」。

A12~29對頁進行定址,可以被理解為「行地址」。為了方便,「列地址」和「行地址」分為兩組傳輸,而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在最後一個周期會有若干數據線無信息傳輸。沒有利用的數據線保持低電平。NAND型快閃記憶體所謂的「行地址」和「列地址」不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義,只是一種相對方便的表達方式而已。為了便於理解,我們可以將上面三維的NAND型快閃記憶體晶元架構圖在垂直方向做一個剖面,在這個剖面中套用二維的「行」、「列」概念就比較直觀了。

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